產品展示
本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。
本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。
液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。
產品展示
本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。
本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。
液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。