山東力冠微電子裝備

產品展示


PVT法長晶爐——電阻爐

本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

PVT法長晶爐——感應爐

本設備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

液相法長晶爐

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。

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