山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類

暫無數(shù)據(jù)

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地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:liguan1218@163.com

坩堝下降法(vb)長晶爐

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長;還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長。

HVPE外延爐——立式

本設備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長;還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長。

坩堝下降長晶爐

本設備主要用于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物晶體生長。設備由機架、安瓿支撐機構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成,能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動和轉(zhuǎn)動的精確控制。

導模法長晶爐

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長,將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導結(jié)晶生長成單晶。

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