產(chǎn)品分類
氧化/擴(kuò)散/退火爐
所屬分類：
臥式爐管設(shè)備
半導(dǎo)體芯片設(shè)備
氧化/擴(kuò)散/退火爐
概要：
? 適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors ? 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) ? 晶圓尺寸：12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch ? 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴(kuò)散(Diffusion) Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
關(guān)鍵詞：
LPCVD立式爐管設(shè)備
氧化/擴(kuò)散/退火爐
產(chǎn)品應(yīng)用Product Applications：
♦ 適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體
Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors
♦ 適用材料: Si、SiC、GaN
Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN)
♦ 晶圓尺寸：12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
♦ 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴(kuò)散(Diffusion)
Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
技術(shù)指標(biāo) Technical Parameters：
♦ 制程溫度范圍：300°C-1250°C
Process Temperature Range: 300°C-1250°C
♦批次片數(shù): 100-250片
Batch Capacity: 100-250 pcs
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